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晶圓清洗應該使用什么樣的等離子清洗機?

返回列表 來源:普樂斯 瀏覽: 發(fā)布日期:2019-07-10 08:41【
文章導讀:晶圓(Wafer)清洗分為濕法清洗和干法清洗兩種方式,等離子清洗屬于后者,主要是去除晶圓表面肉眼看不到的表面污染物。晶圓的干式清洗應該使用什么樣的等離子清洗機呢?
等離子清洗機對晶圓清洗的流程就是先將晶圓放入等離子清洗機的真空反應腔體內,然后抽取真空,達到一定真空度后通入反應氣體,這些反應氣體被電離形成等離子體與晶片表面發(fā)生化學和物理反應,生成可揮發(fā)性物質被抽走,清潔晶圓表面并使之具有親水性。那么晶圓清洗所用的等離子清洗機在選擇時有哪些該注意的地方呢?
晶圓表面-普樂斯等離子清洗機
一、腔體和托架要求
等離子清洗晶圓是在千級以上的無塵室中進行的,對particle的要求極高,任何超標的particle存在,都會造成晶圓不可挽回的缺陷。所以設計等離子清洗機的腔體首先一定要是鋁質,而不是不銹鋼材質;擺放晶圓的托架滑動部分,要盡量采用不容易產生粉塵和被等離子腐蝕的材料;電極和托架方便拆卸,便于日常維護。

二、電極間距和層數(shù),以及氣路分布要求
等離子清洗機反應腔體內的電極間距和層數(shù),以及氣路分布,對于晶圓處理的均勻性都重大的影響,這些指標都需要不斷試驗來優(yōu)化。

三、電極板溫度要求
等離子清洗晶圓的過程中,會產生一定的熱量累積,處于工藝的需要,維持電極板的溫度在一定范圍是必要的,所以通常會給等離子清洗機的電極加上水冷。
用于12寸晶圓清洗的等離子清洗機腔體結構-普樂斯等離子清洗機
四、擺放小技巧
多層電極的等離子清洗機產能比較高,可以根據需要每一層托架上擺放多片晶圓,比較適合于半導體分立器件、電力電子元器件專用4寸及6寸晶圓的光刻底膜去除等。

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