1. 晶圓


去除光刻膠：傳統(tǒng)的濕化學(xué)方法去除晶圓表面的光刻膠存在反應(yīng)不能精準(zhǔn)控制，清洗不徹底，容易引入雜質(zhì)等缺點。而作為干式方法的晶圓級封裝等離子清洗設(shè)備表面處理可控性強(qiáng)，一致性好，不僅可以徹底去除光刻膠和其他有機(jī)物，而且還可以活化和粗化晶圓表面，提高晶圓表面浸潤性。

2. 引線框架


銅引線框架：處于對性能和成本的考慮，微電子封裝領(lǐng)域目前主要采用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性能良好的銅合金材料作為引線框架。銅的氧化物與其它一些有機(jī)污染物會造成密封模塑與銅引線框架的分層，造成封裝后密封性能變差與慢性滲氣現(xiàn)象，同時也會影響芯片的粘接和引線鍵合質(zhì)量，經(jīng)過晶圓級封裝等離子清洗設(shè)備表面處理銅引線框架，可去除有機(jī)物和氧化層，同時活化和粗化表面，確保打線和封裝的可靠性。

3. 引線鍵合



引線鍵合：引線鍵合的質(zhì)量對微電子器件的可靠性有決定性影響，鍵合區(qū)必須無污染物并具有良好的鍵合特性。污染物的存在，如氧化物、有機(jī)污染物等都會嚴(yán)重削弱引線鍵合的拉力值。等離子清洗設(shè)備表面處理能有效去除鍵合區(qū)的表面污染物并使其粗糙度增加，能明顯提高引線的鍵合拉力，極大的提高封裝器件的可靠性。

4. 倒裝芯片封裝



倒裝芯片封裝：隨著倒裝芯片封裝技術(shù)的出現(xiàn)，等離子清洗設(shè)備表面處理已成為其提高產(chǎn)量的必要條件。對芯片以及封裝載板進(jìn)行等離子表面處理，不但能得到超凈化的焊接表面，同時還能大大提高焊接表面的活性，這樣可以有效防止虛焊和減少空洞，提高填充料的邊緣高度和包容性，改善封裝的機(jī)械強(qiáng)度，降低因不同材料的熱膨脹系數(shù)而在界面間形成內(nèi)應(yīng)的剪切力，提高產(chǎn)品可靠性和壽命。

5. 陶瓷封裝



陶瓷封裝：陶瓷封裝中通常使用金屬漿料印制線路板作鍵合區(qū)、蓋板密封區(qū)。在這些材料的表面電鍍Ni、Au前采用晶圓級封裝等離子清洗設(shè)備表面處理，可去除有機(jī)物鉆污，明顯提高鍍層質(zhì)量。