與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產(chǎn)難點(diǎn)在哪里？
文章導(dǎo)讀：當(dāng)前，以硅基為材料的晶圓已經(jīng)開始從8英寸邁向了12英寸，當(dāng)前環(huán)境下，與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產(chǎn)難點(diǎn)會(huì)在哪里？普樂斯小伙伴給大家收集了一些資料，一起來看一下。
當(dāng)前，以硅基為材料的晶圓已經(jīng)開始從8英寸邁向了12英寸，當(dāng)前環(huán)境下，與硅晶圓相比，SiC晶圓的生產(chǎn)難點(diǎn)會(huì)在哪里？普樂斯小伙伴給大家收集了一些資料，一起來看一下。
據(jù)介紹：“與硅材料芯片相比，8英寸和6英寸SiC生產(chǎn)的主要差別在高溫工藝上，例如高溫離子注入，高溫氧化，高溫激活等，以及這些高溫工藝所需求的hard mask（硬掩模）工藝等。”而高溫工藝關(guān)乎著SiC的良率，這也是各大SiC廠商所著力研發(fā)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。
除了與硅晶圓在生產(chǎn)工藝上有所差異以外，在SiC從6英寸向8英寸發(fā)展的過程中也存在著一些差異。“在功率半導(dǎo)體制造的離子注入、薄膜沉積、介質(zhì)刻蝕、金屬化等環(huán)節(jié)，8英寸碳化硅與6英寸SiC的差距不大。”某博士指出：“8英寸SiC的制造難點(diǎn)主要集中在襯底生長、襯底切割加工、氧化工藝。其中，襯底生長方面，擴(kuò)徑到8英寸，對(duì)襯底生長的難度會(huì)成倍增加；襯底切割加工方面，越大尺寸的襯底切割應(yīng)力、翹曲的問題越顯著；氧化工藝一直是碳化硅工藝中的核心難點(diǎn)，8英寸、6英寸對(duì)氣流和溫場的控制有不同需求，工藝需各自獨(dú)立開發(fā)。”
顯然，SiC向更大晶圓面積發(fā)展的路并不好走，在這一點(diǎn)上，從SiC從4英寸走向6英寸的過程中便可略窺一二——據(jù) Yole 預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，2020 年4英寸SiC晶圓接近 10 萬片，而 6英寸晶圓市場需求已超過8萬片，預(yù)計(jì)將在2030年逐步超越4英寸晶圓。
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普樂斯電子12年專注研制等離子清洗機(jī)，等離子體清洗機(jī)，等離子清洗設(shè)備，常壓大氣和低壓真空型低溫等離子表面處理設(shè)備，大氣低溫等離子體表面處理系統(tǒng)，大氣常壓收放卷等離子表面設(shè)備處理，已通過ISO9001質(zhì)量體系和歐盟CE認(rèn)證，為電子、半導(dǎo)體、汽車、yi療等領(lǐng)域的客戶提供清洗、活化、刻蝕、涂覆的等離子表面處理解決方案，是行業(yè)內(nèi)值得信賴的等離子清洗機(jī)廠家。如果您想要了解更多關(guān)于產(chǎn)品的詳細(xì)內(nèi)容或在設(shè)備使用中有疑問，歡迎點(diǎn)擊普樂斯的在線客服進(jìn)行咨詢，或者直接撥打全國統(tǒng)一服務(wù)熱線400-816-9009，普樂斯隨時(shí)恭候您的來電！
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