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等離子清洗機清洗晶圓有什么高要求?

返回列表 來源:普樂斯 瀏覽: 發(fā)布日期:2021-07-19 09:51【
文章導讀: 晶圓(Wafer)清洗一般分為濕法清洗和干法清洗,等離子清洗屬于干式清洗,是晶圓清洗的主要方式之一。利用等離子清洗主要是去除晶圓表面肉眼看不到的表面污染物。對于晶圓這種高科技產品,其對微粒的要求極高,任何超標的微粒存在,都可能會造成晶圓不可挽回的缺陷。普樂斯小伙伴今天和大家探討一下有關晶圓清洗的相關知識。

  晶圓(Wafer)清洗一般分為濕法清洗和干法清洗,等離子清洗屬于干式清洗,是晶圓清洗的主要方式之一。利用等離子清洗主要是去除晶圓表面肉眼看不到的表面污染物。對于晶圓這種高科技產品,其對微粒的要求極高,任何超標的微粒存在,都可能會造成晶圓不可挽回的缺陷。普樂斯小伙伴今天和大家探討一下有關晶圓清洗的相關知識。

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      等離子清洗晶圓的要求是非常高的,需要在千級以上的無塵室中進行,而且離子清洗機的腔體一定要是鋁質,不能是不銹鋼材質;在擺放晶圓時,其托架滑動部分要盡量采用不容易產生粉塵和被等離子腐蝕的材料。
 
      在清洗晶圓時,第一步是先將晶圓放入等離子清洗機的真空反應腔體內,然后抽取真空;在腔體內達到一定真空度后,通入反應氣體,這些反應氣體會被高壓電離形成很多等離子體,這些等離子體與晶片表面產生化學或物理反應后,會生成可揮發(fā)性物質被等離子清洗機配件真空泵抽走,留下更清潔并具親水性的晶圓表面,完成晶圓清洗過程。
 
      等離子清洗機清洗晶圓要求很高,步驟和細節(jié)均不可忽視。以上為普樂斯小伙伴整理的相關信息,請查收。
 
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